成功的RF設(shè)計必須仔細(xì)注意整個設(shè)計過程中每個步驟及每個細(xì)節(jié)，這意味著必須在設(shè)計開始階段就要進(jìn)行徹底的、仔細(xì)的規(guī)劃，并對每個設(shè)計步驟的進(jìn)展進(jìn)行全面持續(xù)的評估。
有時常出現(xiàn) Shielding Cover蓋上去后，其性能劣化的現(xiàn)象，例如靈敏度變差，相位誤差變大……等，可能原因，便是由于 Shielding Cover與RF走線，或是匹配組件間的距離過近，其寄生電容影響了阻抗，尤其是 0402尺寸的組件，因為體積較大，更容易有這現(xiàn)象，此時可利用阻抗軟件先加以驗證，將 H1與H2，設(shè)為 100 mil，來模擬未加 Shielding Cover時的阻抗。接著再將實際的 H1值帶入，0402組件的高度，約20mil，因此 H2大約為H1-20。此時去比較阻抗的變化，便可得知 Shielding Cover與RF走線，或是匹配組件間的距離，是否會影響阻抗了[1-3]。
然而相較于匹配組件或走線，通常 Shielding Cover蓋上去后，其性能劣化的現(xiàn)象，來自 PA的機會較大.
因為 PA的能量本來就很大，加上體積較大，離Shielding Cover更近，所以這表示 PA耦合到 Shielding Cover的能量同樣很大，若Shielding Cover接地良好，原則上 PA耦合到Shielding Cover的能量，會通通流到 GND，但若 Shielding Cover與 Shielding Frame的接觸不夠好，那么PA耦合到Shielding Cover的能量，有一部分會反射，打到其他走線，若是打到 PA電源，那基本上所有發(fā)射性能都會劣化。
由于現(xiàn)今智能手機要求的 RF功能越來越多，這連帶使得零件數(shù)目越來越多，且越來越要求輕薄短小，而零中頻架構(gòu)，由于具備了低成本，低復(fù)雜度，以及高整合度，這使得零中頻架構(gòu)的收發(fā)器，在手持裝置，越來越受歡迎。但連帶也有一些缺失，其中一項便是所謂的 VCO Pulling[6-7]，因此不論是高通，或是MTK，都會建議收發(fā)器與 PA要分別放在兩個獨立的屏蔽框里，也是為了避免 VCO Pulling，
因此倘若 PA跟收發(fā)器在同一個Shielding下，沒有區(qū)隔開來，那情況更麻煩，因為除了 PA電源，也可能會打到收發(fā)器的相關(guān)電源走線，甚至透過 PA input走線跟接收走線，去打到 VCO，產(chǎn)生 VCO Pulling[4-5]。
此時可以做實驗，去驗證是否 PA輸出訊號打到上述走線
記得要加 DC Block，避免電源的直流訊號，回灌到 CMU跟PA，而 DC Block不是隨便串聯(lián)個電容就好了，因為電容值會影響 S11，若值不對，很可能其 PA輸出訊號都會被反射回來。而由[8]可知，串聯(lián) 56 pF電容，幾乎不會影響阻抗，因為原則上 RF Cable都是50奧姆，換言之，若擺放56 pF的 DC Block，亦即 PA輸出訊號會一路走 50奧姆，幾乎不會反射。
原則上這樣的實驗，其發(fā)射性能是一定會劣化，但要觀察是否為 Shielding Cover蓋上去后的現(xiàn)象，倘若同樣的現(xiàn)象完全復(fù)制出來，才可判定 Root Cause是 PA輸出訊號打到上述走線，例如 Shielding Cover蓋上去后，其傳導(dǎo)雜散會 Fail，但相位誤差依然 Pass，而上述實驗卻是傳導(dǎo)雜散跟相位誤差都 Fail，那就不能證明是PA輸出訊號打到上述走線。
由[1-3]可知，若 Shielding Cover與 Shielding Frame的接觸不是很緊密，則會產(chǎn)生時而開路，時而短路的情況發(fā)生，這樣的行為模式，宛如一個 Switch。而 Switch為非線性組件，會有非線性效應(yīng)，諧波便是典型的非線性效應(yīng)之一
而任何金屬，若沒接地完全，那就是一個輻射體，因此 Shielding Cover加 ShieldingFrame，整個 Shielding Can宛如一個共振腔結(jié)構(gòu)，會把PA耦合到 Shielding Cover的能量，輻射出去，當(dāng)然 PA耦合到Shielding Cover的能量中，也包含了 PA非線性效應(yīng)既有的諧波，若再加上 Shielding Cover與Shielding Frame的Switch效應(yīng)，那么輻射雜散，亦即 Wireless的諧波，會更加強，會有超標(biāo)的風(fēng)險。
原則上，前述的問題，可透過加強 Shielding Cover與Shielding Frame的接觸，
以及加強 Shielding Cover與Housing金屬的接觸，
使其耦合到 Shielding Cover上的發(fā)射訊號，通通流到GND[1-3,5]。
前述提到，若作了 Coupler回灌PA輸出的實驗，但現(xiàn)象卻與Shielding Cover蓋上去的現(xiàn)象不一致，那就不能證明是 PA輸出訊號，打到上述走線。此時問題可能是來自于 Shielding Cover與PA內(nèi)部 Bond Wire的寄生效應(yīng)，尤其是 Shielding Frame的架橋，
因為相較于 Shielding Cover，其架橋的高度又更小，倘若 PA剛好在架橋下方，那寄生效應(yīng)會很大，其 PA的特性可能會有所改變，導(dǎo)致發(fā)射性能劣化，若問題是來自寄生效應(yīng)，那么就是 Shielding Cover的高度，以及架橋的位置，要重新調(diào)整，再不然就是 PA上方的 Shielding Cover，直接破孔開天窗。所以 Placement時，PA盡量不要在架橋跟 Shielding Frame的屋檐下方，避免寄生效應(yīng)。
除了 PA之外，另外還需特別注意金屬表面的 Duplexer，例如 Taiyo的Duplexer，
前述說過，任何金屬，若沒接地完全，那就是一個輻射體，故此時 Duplexer的金屬表面，會宛如一個輻射體，那么 Shielding Cover一蓋上去，就會產(chǎn)生上述的機制，打到上述走線，導(dǎo)致發(fā)射性能劣化，尤其是 LTE的Band 7，這種頻率很高的頻段，更是容易出狀況。此時可以在 Duplexer上方，置入導(dǎo)電泡棉，使Duplexer的金屬表面接地完全，便可消除其輻射體機制。當(dāng)然，前提是 Shielding Cover要先接地完全。
盡管有以上的缺點，但是金屬屏蔽罩仍然非常有效，而且常常是隔離關(guān)鍵電路的唯一解決方案。